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硅鋼薄帶
發(fā)布于:2014-11-14    文字:【】【】【】   [返回]


    取向硅鋼薄帶厚度?。?.03-0.1mm),高頻損耗低,其晶粒組織沿鋼帶長度方向磁性擇優(yōu)取向,因而磁性能優(yōu)良。其表面涂有極薄的絕緣涂層,既防銹又使制成的鐵芯在每層鋼帶之間絕緣,從而降低渦流損耗。非常適用于制作中高頻下使用的變壓器和電感鐵芯,用硅鋼薄帶制作的鐵芯具有高頻損耗低、鐵芯體積小、輸出功率大等優(yōu)點。 
用途:
    普通取向硅鋼(0.25-0.35mm)主要用于50Hz工頻下工作的變壓器鐵芯。當(dāng)工作頻率在400Hz-30KHz時,渦流損耗隨頻率升高呈平方關(guān)系增加。而厚度薄的取向硅鋼薄帶可顯著降低損耗,其適用于制作400Hz-50KHz下工作的各種中高頻電源變壓器、互感器、電抗器等,特別適用于高頻大功率脈沖電源、油浸式高頻高壓變壓器、雷達(dá)脈沖電源、直線加速器、調(diào)制電源、大功率光伏逆變器電抗器、中頻感應(yīng)電源電抗器、變壓器、中頻磁場導(dǎo)磁體、環(huán)保高頻高壓除塵與水處理電源、高頻脈沖變壓器。 

性能特點
與鐵基非晶材料相比,取向硅鋼薄帶具有以下性能特點:
1.飽和磁感:
   取向硅鋼薄帶  Bs=2.03T                鐵基非晶 : Bs=1.56T
   取向硅鋼薄帶鐵芯設(shè)計的工作點磁感可明顯高于鐵基非晶,可提高功率或減小鐵芯尺寸和重量。
2.鐵芯疊片系數(shù):
   取向硅鋼薄帶>95%                        鐵基非晶 :  75-78%
   取向硅鋼薄帶為冷軋帶材,表面平整、厚度均勻,其疊片系數(shù)比鐵基非晶高約20%,使硅鋼薄帶鐵芯的尺寸更小,功率比同體積鐵基非晶有明顯提高。
3.鐵芯加工工藝性:取向硅鋼薄帶韌性好,卷繞鐵芯外形尺寸規(guī)則,鐵芯切口不掉渣,尤其適用于油浸式高壓變壓器。而鐵基非晶帶材較脆,鐵芯切口易掉渣,易影響變壓器油箱的潔凈度,不利于高壓變壓器的耐壓穩(wěn)定性。 
4.材料穩(wěn)定性:
   取向硅鋼薄帶    居里溫度  Tc=740℃               鐵基非晶 : 晶化溫度   410℃
   由于居里溫度高,取向硅鋼薄帶穩(wěn)定性好。而鐵基非晶在410℃條件下將發(fā)生晶化,性能隨之變差,其溫度穩(wěn)定性較差。
5.表面涂層:硅鋼薄帶表面涂有絕緣涂層,既防銹又具有減小渦流損耗的作用,非晶帶表面沒有絕緣涂層,表面平整度差,邊緣毛刺大。
6.磁致伸縮噪音: 取向硅鋼薄帶磁致伸縮小,噪音明顯比非晶低。
   飽和磁致伸縮系數(shù):硅鋼薄帶λs =5×10-6    非晶λs =27×10-6

硅鋼薄帶國家標(biāo)準(zhǔn):GB11255-89 The oriented thin-guage silicon steel strips standard:GB11255-89
牌號 厚度(mm) 鐵損(W/kg)Ironloss 磁感應(yīng)強(qiáng)度(T) 矯頑力Hc(A/m)
Grade Thickness P1.0/400 P1.5/400 P1.0/1000 P0.5/3000 B50 B1000 Coercive force
    不大于< 不小于> <不大于
DG4 0.03 - - - 30 - 1.70 40
DG4 0.05 - 16.0 22.0 - 0.9 1.70 32
DG5 0.05 - 15.0 20.0 - 1.05 1.75 32
DG6 0.05 - 14.5 19.0 - 1.10 1.75 32
DG4 0.08/0.10 - 16.0 - - 1.00 1.70 26
DG5 0.08/0.10 - 15.0 - - 1.05 1.70 26
DG6 0.08/0.10 - 14.5 - - 1.20 1.80 26
尺寸規(guī)格 Dimension:
公稱厚度(mm) 厚度允許偏差(mm) 寬度(mm) 卷重(kg)
Thickness Allowable thickness Difference Width Core weight
0.03 ±0.005 5-250 <200
0.05 ±0.01 5-250 <500
0.08 ±0.01 5-350 <600
0.10 ±0.01 5-350 <1000
0.15 ±0.015 5-350 <1000
硅鋼薄帶物理性能   Physical propererties:
飽和磁感強(qiáng)度   Saturation induction :Bs=2.03 T
密度Density:d=7.65g/cm3                  
居里溫度   Curie temperature :Tc=740 ℃.
電阻率Resistivity ρ=47×10-8Ωm
飽和磁致伸縮系數(shù)  Saturation magnetostriction:   λs=5×10-6
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